原创江智科技高性能MOSFET获多款快充产品采用

原副标题:江智信息技术高效能MOSFET获数款快充商品选用

序言

近几年,消费行业控制器消费市场增速十分迅速,一方面是 USB PD 快充实现了大规模普及化,大输入功率和高电阻输入对 MOS 电子元件的壳体、阻抗等各层次操控性提出了更高的要求。另一方面,随着锂电池锂离子应用领域的蓬勃发展,消费市场对于锂电池为保护 MOS、USB为保护 MOS 等的需求也更为强烈。

苏州江智信息技术有限公司(JESTEK)是一家著眼于积体电路输入功率电子元件结构设计生产与销售的企业。保有一支从业人员经验15年以上的结构设计研制项目组,在苏州短蕊工业园区保有完备的PCB试验厂房。

江智信息技术以输入功率电子元件为核心,掌控8寸一流电子元件结构设计工艺技术,持续关注电子元件高聚物提升和商品的安全性提升,江智信息技术透过 ISO9001,ISO14001 体系证书,与国际世界级的晶片、PCB、试验代工保持紧密的合作,保证商品的产品品质可信和稳定订货。

江智信息技术的商品以技术和消费市场的需要为取向,在中扰动MOS、中压商品消费市场中占据很大的交易额,同时著重多样化发展投入,逐步跟进并渗入演示电子元件领域。本次电池头网为诸位科孔一下江智信息技术 MOSFET 在快充消费市场的应用领域事例。

JST100N30D5G

江智信息技术推出的 JST100N30D5G 是这款 N基极 MOS,壳体 30V。在栅源极电阻 VGS 为 10V 下,导通阻抗 RDS(on) 不少于 2.8mΩ(典型值 1.9mΩ);在栅源极电阻 VGS 为 4.5V 下,导通阻抗 RDS(on) 不少于 4.6mΩ(典型值 3.3mΩ),透过 100% UIS 试验。

江智信息技术 JST100N30D5G 最大栅源电阻 VGSS 为 ±20V;连续漏电阻 ID 在 25℃ 下为 100A,在 100℃ 下为 63A;波形汲极电阻最高 400A;多型暴风雪打穿热量 EAS 为 25mJ;允许基极总耗电 PD 为 42W;剪率 RθJC 为 3℃/W。

江智信息技术 JST100N30D5G 选用 PDFN5*6-8L PCB,输入功率 -55℃~150℃,适用于于 PWM 控制、阻抗开关、控制器管理等应用领域情景。

应用领域事例:

1、拆解报告:德鲁西20000mAh 100W双向快充移动控制器

JST80N30D3A

江智信息技术推出的 JST80N30D3A 是这款 N基极 MOS,壳体 30V。在栅源极电阻 VGS 为 10V 下,导通阻抗 RDS(on) 不少于 5mΩ(典型值 3.5mΩ);在栅源极电阻 VGS 为 4.5V 下,导通阻抗 RDS(on) 不少于 7.5mΩ(典型值 6.7mΩ)。

江智信息技术 JST80N30D3A 最大栅源电阻 VGSS 为 ±20V;连续漏电阻 ID 为 55A;波形汲极电阻最高 220A;多型暴风雪打穿热量 EAS 为 35mJ;允许基极总耗电 PD 为 85W;剪率 RθJC 为 3.5℃/W。

江智信息技术 JST80N30D3A 选用 PDFN3.3x3.3-8L PCB,输入功率 -55℃~150℃,适用于于 PWM 控制、阻抗开关、控制器管理等应用领域情景。

应用领域事例:

1、拆解报告:GADMEI 100W 2C1A双向快充移动控制器

JST60N30D5G

江智信息技术推出的 JST60N30D5G 是这款 N基极 MOS,壳体 30V。在栅源极电阻 VGS 为 10V 下,导通阻抗 RDS(on) 不少于 7.5mΩ(典型值 5.2mΩ);在栅源极电阻 VGS 为 4.5V 下,导通阻抗 RDS(on) 不少于 10.2mΩ(典型值 7.5mΩ),透过 100% UIS 试验。

江智信息技术 JST60N30D5G 最大栅源电阻 VGSS 为 ±20V;连续漏电阻 ID 在 25℃ 下为 60A,在 100℃ 下为 38.5A;波形汲极电阻最高 240A;多型暴风雪打穿热量 EAS 为 64mJ;允许基极总耗电 PD 为 41W;剪率 RθJC 为 3℃/W。

江智信息技术 JST60N30D5G 选用 PDFN5*6-8L PCB,输入功率 -50℃~150℃,适用于于 PWM 控制、阻抗开关、控制器管理等应用领域情景。

应用领域事例:

1、拆解报告:德鲁西20000mAh 100W双向快充移动控制器

JST60N30D3G

江智信息技术推出的 JST60N30D3G 是这款 N基极 MOS,壳体 30V。在栅源极电阻 VGS 为 10V 下,导通阻抗 RDS(on) 不少于 6mΩ(典型值 4.8mΩ);在栅源极电阻 VGS 为 4.5V 下,导通阻抗 RDS(on) 不少于 12mΩ(典型值 7.1mΩ),透过 100% UIS 试验。

江智信息技术 JST60N30D3G 最大栅源电阻 VGSS 为 ±20V;连续漏电阻 ID 在 25℃ 下为 60A,在 100℃ 下为 38A;波形汲极电阻最高 240A;多型暴风雪打穿热量 EAS 为 34mJ;允许基极总耗电 PD 为 35.7W;剪率 RθJC 为 3.5℃/W。

江智信息技术 JST60N30D3G 选用 PDFNWB3.3*3.3-8L PCB,输入功率 -50℃~150℃,适用于于 PWM 控制、阻抗开关、控制器管理等应用领域情景。

应用领域事例:

1、拆解报告:安能信息技术超迷你30W氮化镓电池器

2、拆解报告:UOCO. 45W双USB-C氮化镓电池器

JST60P30D3

江智信息技术推出的 JST60P30D3 是这款 P基极 MOS,壳体 -30V。在栅源极电阻 VGS 为 -10V 下,导通阻抗 RDS(on) 不少于 7.5mΩ(典型值 5.8mΩ);在栅源极电阻 VGS 为 -4.5V 下,导通阻抗 RDS(on) 不少于 12.6mΩ(典型值 9.0mΩ)。

江智信息技术 JST60P30D3 最大栅源电阻 VGSS 为 ±20V;连续漏电阻 ID 在 25℃ 下为 -45A,在 100℃ 下为 -29A;波形汲极电阻最高 -180A;多型暴风雪打穿热量 EAS 为 75.7mJ;允许基极总耗电 PD 为 23W;剪率 RθJC 为 5.4℃/W。

江智信息技术 JST60P30D3 选用 PDFNWB3.3*3.3-8L PCB,输入功率 -55℃~150℃,适用于于 PWM 控制、阻抗开关、控制器管理等应用领域情景。

应用领域事例:

1、拆解报告:德鲁西20000mAh 100W双向快充移动控制器

JST20P30D3

江智信息技术推出的 JST20P30D3 是这款 P基极 MOS,壳体 -30V。在栅源极电阻 VGS 为 -10V 下,导通阻抗 RDS(on) 小于 11mΩ;在栅源极电阻 VGS 为 -4.5V 下,导通阻抗 RDS(on) 小于 18mΩ。

江智信息技术 JST20P30D3 最大栅源电阻 VGSS 为 ±20V;连续漏电阻 ID 在 25℃ 下为 -35A,在 100℃ 下为 -23A;波形汲极电阻最高 -140A;多型暴风雪打穿热量 EAS 为 78.8mJ;允许基极总耗电 PD 为 21.5W;剪率 RθJC 为 5.8℃/W。

江智信息技术 JST20P30D3 选用 PDFNWB3.3*3.3-8L PCB,输入功率 -55℃~150℃,适用于于 PWM 控制、阻抗开关、控制器管理等应用领域情景。

应用领域事例:

1、拆解报告:德鲁西20000mAh 100W双向快充移动控制器

电池头网总结

小型化,大输入功率,低耗电始终是消费行业商品发展的不变的追求和趋势,因此高密度高集成也就成了各个晶片结构设计公司和客户孜孜不倦予以突破的技术瓶颈。在 USB PD 技术各种应用领域领域中 MOSFET 无疑承担了主要的输入功率分配,也是高密度高集成商品能否实现的核心电子元件。

面对持续增长的消费行业控制器消费市场,苏州江智信息技术已推出数百款针对不同应用领域情景的 MOSFET 输入功率电子元件,为控制器厂商的商品开发提供一站式 MOSFET 解决方案,满足控制器厂商的多样化需求。返回搜狐,查看更多

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